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NTGD3147F
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
5
12
100
4
Q T
10
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.0 A
t d(off)
t f
3
? V DS
? V GS
8
t r
2
Q GS
Q DS
6
10
t d(on)
4
1
0
0
1
2
V DS = ? 10 V
I D = ? 2.2 A
T J = 25 ° C
3
4
2
0
1
1
10
100
10
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
V GS = 0 V
1.2
1.1
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
1
T J = 150 ° C
0.9
0.8
I D = ? 250 m A
0.7
0.6
0.1
0.4
0.5
125 ° C
0.6
25 ° C
0.7
? 55 ° C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.5
0.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
40
30
20
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus
Current
10
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 10. Threshold Voltage
1 ms
10 ms
10
0.1
V GS = ? 12 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
Package Limit
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
http://onsemi.com
5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
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